专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于多点注入技术的分数倍频注入锁定振荡器工作方法-CN202011332738.X有效
  • 孟煦;滕海林 - 合肥工业大学
  • 2020-11-24 - 2022-09-20 - H03L7/099
  • 本发明涉及注入锁定振荡器技术领域,具体涉及一种基于多点注入技术的分数倍频注入锁定振荡器工作方法,包括使用变强度、多点注入的方式达到等效注入位置精细变化,由于多点同时注入满足等效的矢量叠加特性,通过逐步选择注入位置和改变各点注入强度的比例,从而实现等效的注入强度和注入位置,要实现分数倍频,其核心在于当前的注入位置较上一次的注入位置发生了2π弧度的分数倍变化,本发明利用在环形振荡器中多点同时注入的信号满足矢量叠加的特性,通过注入位置注入信号强度的变化,达到了注入信号位置的精细变化,从而实现了具有分数倍频能力的注入锁定振荡器。
  • 一种基于多点注入技术分数倍频锁定振荡器工作方法
  • [发明专利]用于壁挂式洗衣机的投放装置及壁挂式洗衣机-CN202110598678.4在审
  • 高久兴;熊明;涂有明 - 无锡小天鹅电器有限公司
  • 2021-05-31 - 2022-12-16 - D06F39/02
  • 本发明公开了一种用于壁挂式洗衣机的投放装置及壁挂式洗衣机,投放装置包括:投放盒,所述投放盒内形成有容纳腔;注入件,所述注入件内部形成有与所述容纳腔连通的注入腔,所述注入件可选择地在展开位置和收纳位置之间移动,在所述注入件处于展开位置时,所述注入腔与外部空间连通,在所述注入件处于收纳位置时,所述注入件封闭所述容纳腔。根据本发明的投放装置设置有投放盒和注入件,注入件在展开位置和收纳位置之间切换以便于将洗涤添加剂注入至容纳腔内,注入件的设置简化了投放装置的布置形式,提高了洗衣机的良品率。
  • 用于壁挂式洗衣机投放装置
  • [发明专利]RTM方法-CN201380006286.8有效
  • 山本晃之助;辻诚司;渡边和矢 - 东丽株式会社
  • 2013-02-21 - 2014-09-24 - B29C39/24
  • 本发明提供一种RTM方法,从多个注入注入树脂,使其含浸在配置在成型模具的模腔内的预成型体中,其中,将多个注入口配置在第1位置和第2位置,所述第1位置位于模腔中央部,并且对应于预成型体中、最终成型品的制品范围内的位置,所述第2位置位于模腔外周部,并且对应于最终成型品的制品范围外位置,或者对应于模腔内且为预成型体的范围外的位置,使注入树脂后的注入口关闭时机在第1位置注入口与第2位置注入口之间不同。在从多个注入注入树脂的RTM方法中,能够同时实现树脂含浸的高速化和成型品的品质提高。
  • rtm方法
  • [发明专利]故障注入方法、故障模拟方法、故障注入装置及存储介质-CN201910437874.6在审
  • 周鹏飞 - 阿里巴巴集团控股有限公司
  • 2019-05-24 - 2020-11-24 - G06F11/36
  • 本发明实施例公开了一种故障注入方法、故障模拟方法、故障注入装置及存储介质,其中所述故障注入方法包括:获取故障注入信息,所述故障注入信息包括:待注入故障的应用系统的信息以及待注入的故障行为信息、故障注入断点位置信息;基于所述故障注入信息,执行故障注入配置指令,配置所述应用系统的故障注入参数,所述故障注入参数包括:待注入故障的应用系统的参数、待注入的故障行为参数、故障行为在应用系统的源码中的断点位置参数;在所述应用系统的进程运行到断点位置时,基于已配置的所述断点位置对应的故障源码,运行所述故障源码。
  • 故障注入方法模拟装置存储介质
  • [发明专利]SRAM型FPGA的故障注入方法和装置-CN201610446085.5有效
  • 杨凯歌;张战刚;雷志锋;恩云飞;黄云 - 工业和信息化部电子第五研究所
  • 2016-06-17 - 2018-11-30 - G01R31/3185
  • 本发明涉及一种SRAM型FPGA的故障注入方法和装置,该方法包括获取待测FPGA的初始配置文件;获取初始配置文件中的使用中逻辑资源,并确定使用中逻辑资源对应可配置存储单元的配置文件位置;确定故障注入位置,故障注入位置与可配置存储单元的配置文件位置对应;翻转故障注入位置的配置比特位得到故障注入配置文件;将故障注入配置文件下载到待测FPGA中。该SRAM型FPGA的故障注入方法,无需对FPGA的全部位置进行故障注入,通过仅对使用中的逻辑资源进行故障注入,能够提高SRAM型FPGA的故障注入效率,并且,测试人员根据故障注入的反馈能够快速地评价故障对
  • sramfpga故障注入方法装置
  • [发明专利]平面型SiC MOSFET器件-CN202111498285.2在审
  • 曾大杰 - 上海鼎阳通半导体科技有限公司
  • 2021-12-09 - 2023-06-13 - H01L29/06
  • 本发明公开了一种平面型SiC MOSFET器件,包括:在两个相邻的沟道区之间的漂移区表面形成有抗JFET区;沟道区的二个以上的第一离子注入区设置为:注入峰值位置越深,注入峰值越大;注入峰值位置越浅,注入峰值越小;抗JFET区的一个以上的第二离子注入区的注入峰值位置注入剂量设置为:第二离子注入区的注入峰值大小和位置都位于沟道区中的最浅和最深的注入峰值的大小和位置之间。
  • 平面sicmosfet器件

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